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新品 | TDK推出紧凑型门极驱动变压器

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发表时间:2024-05-16 16:31
TDK扩展了爱普科斯 (EPCOS) InsuGate系列 (B78541A) SMT变压器产品组合,推出两款新型元件。新元件采用锰锌 (MnZn) 铁氧体磁芯,尺寸紧凑,支持高工作电压,工作频率为100 kHz至500 kHz,工作温度为-40°C至+150°C,非常适合电动汽车。。。



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紧凑型门极驱动变压器





TDK扩展了爱普科斯 (EPCOS) InsuGate系列 (B78541A) SMT变压器产品组合,推出两款新型元件。新元件采用锰锌 (MnZn) 铁氧体磁芯,尺寸紧凑,支持高工作电压,工作频率为100 kHz至500 kHz,工作温度为-40°C至+150°C,非常适合电动汽车(经AEC-Q200认证并符合AQG标准关于振动的要求)和工业电子中的IGBT和MOSFET门极驱动应用。元件绕组的圈比为1:1.08 (B78541A2467A003) 或1:1.07:0.6 (B78541A2492A003),具体视型号而定。凭借低至4 pF的耦合电容,这种SMT变压器还适用于SiC或GaN半导体应用。

通过结合相对耐漏电起痕指数 (CTI) ≥600 V的高性能塑料材料和特殊的线圈设计,新元件的尺寸仅为13.85 x 10.5 x 9.2 mm(长x宽x高),具有比传统绝缘或灌封元件更短的空间间隙和爬电距离。以UI7平台为例,其一次绕组与二次绕组之间的爬电距离>9.2 mm,局部放电熄灭电压≥840 V(峰值电压),并能通过3 kV(50 Hz,1 s)的交流高压测试。虽然元件重量仅为2克,但符合IEC 61558标准,达到工作电压高达300 V(交流)下的加强绝缘或700 V(直流)下的基本绝缘要求,从而可满足诸多工业和汽车应用的要求。

新的UI7系列有两种型号可供选择,支持正激式和推挽式拓扑的绕组配置,并能提供相应数量的输出。


主要应用

  • 开关电源(桥式拓扑);
  • 门极驱动电路;
  • 电隔离的DC-DC转转器;
  • 电隔离的单通道IGBT驱动器集成电路 (IC)。


优势与特点

  • 紧凑尺寸:13.85 x 10.5 x 9.2 mm(长x宽x高);
  • 表面贴装 (SMT);
  • 较短的间隙和爬电距离:分别为8.14 mm和 9.2 mm;
  • 低耦合电容:4 pF(典型值);
  • AEC-Q200认证并符合AQG标准关于振动的要求。
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